|
碩士101級
黃正耀
研究題目:以界面工程改善電阻式記憶體之切換特性
現況:華邦電子 測試工程師 |
 |
碩士101級
秦國豪
研究題目:銅氧化物薄膜之材料特性及其電阻記憶特性
現況:轉業繪圖設計師 |
 |
碩士102級
戴士展
研究題目:量測氣氛對電化學式電阻式記憶體之影響 現況:聯華電子 產品工程師 |
 |
碩士102級
江崑祺
研究題目:無活性電極之電化學式電阻記憶體的製作與特性
現況:旺宏電子 研發經理 |
 |
碩專102級
林芳妤
現況:華新科技 |
|
碩士103級
楊志鵬
研究題目:氧化石墨烯薄膜及其疊層結構作為電阻式記憶之特性研究
現況:力積電 擴散製程工程師
|
 |
碩士103級
林盟崇
研究題目:氧化鍺薄膜之電阻記憶特性探討
現況:群創光電 產品工程師
|
 |
碩士104級
張煜軒
研究題目:氧化銦錫點接觸電阻式記憶體制被與其改善探討
現況:穩懋半導體 產品工程師
|
 |
碩士104級
許孟仁
研究題目:利用氧化鋅鎵製備多層結構之透明導電膜與其改善探討
現況:美光科技 製程工程師
|
 |
碩專103級
楊侑庭
研究題目:利用燒結促進劑製備LiNi0.5Ti0.5O2低溫共燒陶瓷
現況:
|
|
1 2 3 4
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|